| 型号：SIA414DJ-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? SC-70-6 | 描述：MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 8V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 12A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 11 毫欧 @ 9.7A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 32nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 1800pF @ 4V |
| 功率_最大 | 19W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
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